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微微秒ＣＭＯＳ电路开发盛行 |
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１９９３年１２月６～８日在美国召开的国际电子器件会议（ＩＥＤＭ） 上，世界各个著名的研究机构纷纷发表关于微微秒ＣＭＯＳ电路论文。 各论文都指出，在室温条件下，微细加工的ＣＭＯＳ电路当空载时的平均 传输时间为１１．８～２２微微秒（ＰＳ），已超过ＥＣＬ的速度。 例如，ＡＴ＆Ｔ Ｂｅｌｌ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ研制了ＣＭＯＳ 电路环形振荡器，即奇数个ＣＭＯＳ门电路连接成闭环，测得平均传输延迟时 间为１１．８ＰＳ。其ＣＭＯＳ晶体管的栅长为０．１μｍ，电源电压为＋２ ．５伏，当将电源电压降到２．０伏时，平均传输延迟时间仅增加到１２．７ ＰＳ。富士通研究所试制出两种栅长的ＣＭＯＳ电路。 一种栅长为０．０７５μｍ；另一种栅长为０．１μｍ，对前者的实测结 果表明，当电源压为２．０伏时，每级门的平均传输延迟时间为１９ＰＳ；对 后者实测表明，电源电压为２．０伏时的平均传输延迟时间为２１ＰＳ。 上述两种电路工作在５００ＭＨｚ时，每个门的功耗为５００μｗ。美国 ＩＢＭ公司的Ｗａｔｓｏｎ研究中心也试制出０．１μｗｍ ＣＭＯＳ电路环 形振荡器。当电源电压为１．５伏时，ｔｐｄ为２２ｐｓ；当电源电压２．０ 伏时，ｔｐｄ为１９ｐｓ。 （计算机世界报 1994年 第26期） |
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