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ＩＢＭ、Ｓｉｅｍｅｎｓ和东芝联合开发６４Ｍ ＤＲＡＭ |
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ＩＢＭ、Ｓｉｅｍｅｎｓ和东芝三家公司于６月１６日宣布设计和开发第二代６４ Ｍ ＤＲＡＭ芯片的计划。新一代ＤＲＡＭ将在三家过去各自开发６４Ｍ ＤＲＡＭ工作 的基础上合作进行开发。据ＩＢＭ称，第一代高密度芯片目前正以样品量提供。分析家对 这一宣布表示欢迎，并称，由于当前应用驱动更快速度和更大容量内存的需求，６４Ｍ芯 片在１９９５年中期预期市场需求量会有上升。据Ｄａｔａｑｕｅｓｔ资深工业分析家Ｒ ｏｎ Ｂｏｈｎ称，新一代芯片可能先用于高档工作站市场，但在ＰＣ中也将找到用场。 有大量多媒体应用、音视频应用将需要更高的速度和内存。由于Ｉｎｔｅｌ Ｐｅｎｔｉ ｕｍ成为台式机选用的处理器，日益增加的内存要求将会加速ＤＲＡＭ市场的发展。根据 联合协议条款，三家公司将在ＩＢＭ位于Ｆｉｓｈｋｉｌｌ的工厂内开发和设计内存芯片 。新的ＤＲＡＭ芯上（体积小，用于高密度内存应用）将于１９９５年中期问世。该项目 仅开发样品，而不进行批量生产。东芝１９９１年开始开发６４Ｍ ＤＲＡＭ，预计今年 ９月出样品。 （计算机世界报 1994年 第25期） |
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