Tezzaron半导体公司8月18日宣布一款采用90纳米工艺技术制造的新型伪静态存储器。

这款名为PSiRAM的产品据称是用于单片系统（SoC）应用的世界最快存储器。一款PSiRAM样品的时延是1.3纳秒，循环时间是1纳秒，每个管脚的总吞吐量是2Gb/s。

PSiRAM样品采用90纳米工艺技术制造，每个存储单元仅为0.59平方微米大。Tezzaron打算面向单片系统应用提供PSiRAM的技术许可。

Tezzaron公司首席技术官Bob Patti说：“我们的PSiRAM是伪静态的，所以它需要刷新。但是读操作是非破坏性的，因此一次读操作未必意味着需要一次刷新。3个晶体管构成的存储单元提供独立的读写通路，并且在存储电容器上还有一个增益晶体管。”

该公司有一个关于PSiRAM的庞大计划。Patti说：“我们将提供两种不同的器件。一个是完全将刷新隐藏起来，像是一个标准的SRAM;另一个是需要用户刷新，很像今天的DRAM。DRAM版本的产品比SRAM版本的速度快。SRAM器件时延大约为1.8纳秒，而不是1.3纳秒。”

Tezzaron计划明年全面投产PSiRAM芯片，130纳米版本计划明年上半年投产，然后是90纳米版本。

（计算机世界报 第33期 B1）